近日
，由国际信息显示学会(SID)北京分会主办
，SID China承办的第六届“2021年SID显示周新技术演讲会（2021 SID Display Week New Technology Review Workshop）”在丽江会展中心隆沉进行
；嵘
，来自EVO厅官网的资深市场经理郭欢女士分享了主题为《TDDI技术及发展趋向》的演讲
，重要介绍ICNL9911C TDDI技术亮点以及LCD TDDI在窄边框、高帧频、高集成等方面的技术发展趋向。作为全球显示领域顶级盛会
，每年SID显示周的主题演讲环节都因议题的前瞻性和代表性
，吸引着来自全世界显示领域的千余精英关注。以下全文是基于郭欢女士的演讲内容整顿而成。

图1EVO厅官网资深市场经理郭欢演讲照片

     LCD TDDI从2020年起头在手机显示触控利用占比已经超过50%
，成为了手机显示屏的主流技术。EVO厅官网从2015年就起头自主研发TDDI产品
，成功打造了a-SI HD TDDI ICNL9911系列
，其中ICNL9911C凭借靠得住的产品品质及专业的技术支持
，成为手机HD/HD+显示屏驱动IC主流供给资源。

    TDDI（Touch and Display Driver Integration）即触控&显示驱动集成一体化技术。

以上
，为传统表挂式GFF/on-cell/TDDI三种规划架构对比：

1. GFF规划为显示和触控分离式的架构
，显示和touch为独立的两个模组。

2. On-cell规划是指将Touch sensor嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间
，即touch sensor做到显示上玻璃
，显示和触控模组二合一了
，但ic和FPC还是分隔两套设计。

3. TDDI规划将Touch sensor齐全集成到了显示TFT面板内
，实现了显示触控模组、IC以及FPC全数二合一
，为显示触控高度集成一体化规划。

TDDI规划因架构的高度集成性
，拥有显示屏轻薄化
，降低成本
，简化供给链蹬着势
，成为了目前手机LCD屏的主流规划
，从2020年LCD TDDI规划在智能手机显示触控利用占比已超过50%。

手机TDDI显示屏技术发展趋向高帧频/窄边框/职能集成度高。

（1）高帧频优势

1.降低图像显示时的闪动和抖动问题
，减轻眼睛委顿感。

2. 游戏利用下改善动态画面在高速移动变动中的吞吐以及扯破景象。

3. 在画面切换或混动时辰
，提升画面流畅度的成效
，削减图片和视频中的内容变吞吐或出现沉影的景象。

对TDDI IC要求：更快的MIPI数据接管规划
，更高的OSC
，更强的驱动力
，更急剧的响应速度和运算速度。

    手机LCD TDDI针对高帧频的发展过程：

FHD LTPS TDDI：已实现144Hz量产
，针对160Hz目前还处于前期RFI阶段
，还没有对应产品
，且对于LCD TDDI 160Hz的需要目前也不爽朗
，厂家根基处于张望态度。

HD a-Si TDDI已实现90Hz量产
，新开下沉式bump ic已可增援120Hz
，针对HD 120Hz规格显示屏已不是瓶颈且没有成本的增长
，待有成本匹配的主板套片
，终端对应规划开案
，HD也将有可能升级为120Hz。

（2）窄边框
，超窄下边框
，钻营极致全面屏。

     窄边框技术规划：

1.pad分列方式：interlace规划对比no-interlance规划
，在没有任何成本增长且也不会影响任何成效机能的情况下
，能够让下边框缩减约1mm
，所以在2017年interlance就取代了no-interlace规划成为主流。

     2.bonding类型：COF规划对比COG规划固然在窄边框规格上拥有优势
，但因会增长成本
，对于偏中低端机型的LCD规划
，有点得不偿失
，因而当前LCD TDDI仍已COG规划为主。
3.Gate规划：2018到2019年
，为了HD A-si能做更窄的下边框
，玻璃厂和ic厂推出dual gate规划
，但因规划在成效问题上没有较快收敛
，到了2019年底高帧频已确定为技术趋向
，而dual gate规划和高帧频规格存在矛盾
，因而市场很快烧毁了dual gate规划。目前手机TDDI根基都是传统的single gate规划。

4.Bump设计：在dual gate规划被烧毁时
，玻璃厂很快提出了新的下沉式bump设计规划来实现窄边框
，此规划对成本没有增长
，对其他成效机能也没有影响
，会逐步取代normal bump规划
，成为市场主流。

手机LCD TDDI针对窄边框的发展过程：

FHD LTPS：因搭配source demux设计
，传统normal bump规划下边框已做到3.1mm左右
，下沉式bump缩减的幅度相对较少
，切换的需要不强烈
，目前还处于技术预研阶段。

HD a-Si：传统normal bump规划下边框为4.0~4.2mm
，下沉式bump设计能够缩减到3.0~3.2mm
，缩减约1mm
，市场优先在HD产品使用此规划
，目前已有部拜别机终端起头量产此规划
，预计2022年下半年此规划会大规模量产
，逐步取代normal bump规划成为主流。

（3）职能集成度高

      1.屏下/屏内指纹2.LCD屏下指纹技术为在显示模组背光下叠加CIS+红表的规划
，成本贵
，模组厚度增长
，该技术规划已被烧毁。

3.屏内指纹技术分为在CF侧和Array侧两种规划（类似触控的oncell和incell规划架构）
，因成本增长较高目前也根基处于暂？⒆刺。

     4.屏靠近感应：利用显示屏靠近人脸时touch感应量的变动
，通过Touch算法实显炝靠近感应
，此技术规划已量产。
5.环境光感应：利用TFT受环境光照射阻抗会产生变动的个性
，TDDI 对应必要实现高精度电流变动检测
，此技术还处于预研阶段。

手机显示屏针对职能集成的发展过程：

手机LCD TDDI经过这几年的发展
，技术已较成熟和收敛
，手机TDDI产品的新技术也起头向其他利用领域（平板
，PC
，车载）产品演进
，TDDI在其他领域的利用占比也将会越来越高。

       EVO厅官网很早就起头自主研发TDDI产品
，针对以上手机高帧频/窄边框/屏靠近感应集成技术都已开发了对应产品
，今年也布局了第一颗支持cascade和自动笔规划的平板TDDI。本次SID的获奖产品ICNL9911C为HD a-Si normal bump规划的TDDI
，拥有以下技术亮点：

- 支持解析度矫捷
，满足分歧解析杜爪用需要

- Source：720 / 640 / 600 RGB

- Gate：2N
， max 1760

- 支持90Hz显示高刷新率

- 支持60/90Hz 帧频切换
，提升显示流畅度同时两全功耗

- 支持long H 120Hz Touch报点
，带给用户更佳的触控履历

- 支持I2C&SPI两种TP通讯接口
，flash和no-flash利用都可满足

- 支持Notch IP
，可优化各类状态（水滴屏
，流海屏
，打孔屏等）显示屏的显示成效

- ICNL9911C凭借靠得住的产品品质及专业的技术支持
，成功突破手机一线品牌
，实现了大规模量产
，成为手机HD/HD+显示屏驱动IC主流供给资源。

作者：EVO厅官网 郭欢

转自：国际信息显示学会SID